用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例 。
一 、先确定MOS管的引脚：
1 、先对MOS管放电 ，将三个脚短路即可；
1、首先找出场效应管的D极（漏极） 。对于TO-252 、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管 ，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚 ，哪个引脚与散热片相连 ，哪个引脚就是D极。
2 、找到D极后，将万用表调至二极管档；
3、用黑表笔接触管子的D极 ，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚 。若接触到某个引脚时 ，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极） 。
二 、MOS管好坏的测量：
1 、当把红表笔放在S极上 ，黑表笔放在D极上 ，可以测出来这个导通压降，一般在0.5V左右为正常；
2、G脚测量 ，需要先对G极充下电 ，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极；
3、再次把红表笔放在S极上 ，黑表笔放在D极上 ，可以测出来这个放大压降，一般在0.3V左右为正常；
扩展资料
MOS管的主要参数
1 、开启电压VT
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
标准的N沟道MOS管 ，VT约为3～6V；通过工艺上的改进 ，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2 、直流输入电阻RAH
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω 。
3.、漏源击穿电压BVDS
在VAH=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；
（2）漏源极间的穿通击穿；
有些MOS管中 ，其沟道长度较短 ，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通 ，穿通后 ，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引 ，到达漏区 ，产生大的ID 。
4 、栅源击穿电压BVAH
在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VAH ，称为栅源击穿电压BVAH。
5 、低频跨导gm
在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；
gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数
一般在十分之几至几mA/V的范围内
6、导通电阻RON
导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
在饱和区 ，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间
由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7 、极间电容
三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CAH 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
CAH和CGD约为1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间
8、低频噪声系数NF
噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在 ，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示 ，它的单位为分贝（dB） 。这个数值越小 ，代表管子所产生的噪声越小
低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
以N沟道MOS场效应管5N60C为例4n65emos管怎么测好坏 ，来详细介绍一下具体4n65emos管怎么测好坏的测量方法 。
1.N沟道MOS场效应管好坏4n65emos管怎么测好坏的测量方法
2.用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
测量5N60C好坏时 ，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空 ，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极 ，若是好的管子，万用表显示为“OL ” ，即溢出（见上图） 。
3.用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极 。
然后调换红黑表笔 ，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时 ，万用表显示的读数接近于零 。
4.用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电 。对于N沟道MOS场效应管充电时 ，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。
在测量完5N60C的D-S两极 ，并且确实是好的之后 ，然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电 。
由于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ） ，数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8～3V ，故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后，可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小 ，故用这个方法可以测量场效应管G-S两极之间是否损坏 。
5.5N60C的G-S两极间的电容充电后 ，用电阻档实测D-S两极之间的正向电阻为155.4Ω。
6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω 。
上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据 。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样，只是万用表表笔需要调换一下极性。
扩展资料4n65emos管怎么测好坏：
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管 ，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的 ，他们都是在P型backgate中形成的N型区 。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能 。这样的器件被认为是对称的。
场效应管（FET） ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化 。FET的增益等于它的transconductance ，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比 。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管 。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流 。事实上没有电流流过这个绝缘体 ，所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体 。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管 ，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET） 。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代4n65emos管怎么测好坏了双极型晶体管。
测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点4n65emos管怎么测好坏 ，测试时选择欧姆R×10K档4n65emos管怎么测好坏 ，这时电压可达10.5V4n65emos管怎么测好坏，红笔是负电位 ，黑笔是正电位 。
测试步骤4n65emos管怎么测好坏：
MOS管4n65emos管怎么测好坏的检测主要是判断MOS管漏电 、短路 、断路、放大 。其步骤如下：
1 、把红笔接到MOS的源极S上 ，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
2 、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上 ，然后把红笔接到MOS的源极S上 ，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电 ，产生栅极电场 ，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转 ，偏转的角度大 ，放电性越好 。
3、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变 ，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大 ，则MOS管漏电，不变则完好 。
4、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来 ，如果指针立即返回无穷大 ，则MOS完好。
用万能表检测mos管好坏的方法：
将万用表两个表笔分别搭接在其他两个极：给B极与任意一个极接一个10千欧姆电阻，电阻先不要接上 ，把表笔分别放在两级 ，电阻这时再接触，指针摆动越大证明该管子放大系数就越大，也就是说该管子就越好 ，反之越差 。
接电阻的那一端为C极；若是红表笔为P管 ，黑表笔为N管 。凡是不符合以上测量数据的三极管都是坏的。
万用表的相关要求规定：
1 、指针表读取精度较差，但指针摆动的过程比较直观 ，其摆动速度幅度有时也能比较客观地反映了被测量的大小（比如测电视机数据总线(SDL)在传送数据时的轻微抖动）；数字表读数直观 ，但数字变化的过程看起来很杂乱，不太容易观看 。
2 、数字万用表的准确度是测量结果中系统误差与随机误差的综合 。它表示测量值与真值的一致程度 ，也反映测量误差的大小。一般讲准确度愈高 ，测量误差就愈小，反之亦然 。
3、指针表内一般有两块电池 ，一块低电压的1.5V,一块是高电压的9V或15V,其黑表笔相对红表笔来说是正端 。数字表则常用一块6V或9V的电池。在电阻档 ，指针表的表笔输出电流相对数字表来说要大很多，用R×1Ω档可以使扬声器发出响亮的“哒 ”声 ，用R×10kΩ档甚至可以点亮发光二极管 。
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