3.7v逆变器电路图_3.7v 转220v逆变器

逆变器电路图和详细原理

逆变器原理如下：

逆变器是一种直流-交流的变压器 ，实际上，它和转换器一样
，都是一个电压倒置的过程 。变换器是把电网中的 AC电压转化皮启培成12 V的稳压 DC，燃唯而逆变器则是把 AdaAH er的12 V DC变换成高频率的 AC ，两者都使用了更常用的AH M技术。

相关总结：

逆变器是一种将低电压（12 V,24 V,48 V）转换成220 V的旁或交流电源
，由于220 V交流电一般都被整流为直流电，而逆变器则相反 ，故名
。

这是一个“移动”的年代
，手机办公室 、手机通信、手机休闲
、娱乐，在运动过程中 ，不仅要用到电池或者蓄电池提供的高压直流电源
，还要用到220 V的交流电源，这是生活中必不可少的。

简单的逆变器电路图分析

这里介绍3.7v逆变器电路图的逆变器（见图）主要由MOS 场效应管3.7v逆变器电路图 ，普通电源变压器构成 。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率
，免除3.7v逆变器电路图了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用
。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。

电路图

工作原理

这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理 。

方波信号发生器（见图3）

这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器
。电路中R1是补偿电阻 ，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的 。其振荡频率为f=1/2.2RC
。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异 。其它多余的反相器
，输入端接地避免影响其它电路
。

场效应管驱动电路

这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳 。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC
。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差 ，实际值会略有差异 。其它多余的反相器
，输入端接地避免影响其它电路
。

场效应管驱动电路

由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路 ，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4所示 。

MOS场效应管电源开关电路
。

这是该装置的核心
，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。

图5

MOS 场效应管也被称为MOS FET ， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写 。它一般有耗尽型和增强型两种
。本文使用的为增强型MOS 场效应管
，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型 。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型
。由图可看出 ，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上
，同样对于P沟道的场效做亮应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流 。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制 ，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗
，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

图6

为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程
。如图6所示 ，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极
，N端接负极）时，二极管导通 ，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时
，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动 ，从而形成导通电流 。同理
，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时 ，这时在P型半导体端为负电压
，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端 ，电子不移动，其PN结没有电流通过
，二极管截止
。

图7a                                                        册搏           图7b

对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时 ，由前面分析可知
，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时 ，由于电场的作用
，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡 ，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b）
，从而形成电流，使源极和漏极之间导通 。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟 ，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁
，该桥的大小由栅压的大小决定
。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。

图8

下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9） 。电州胡祥路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道 MOS场效应管组合在一起使用
。当输入端为低电平时 ，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时
，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通 。在该电路中 ，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作
，其相位输入端和输出端相反
。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V ，通常在栅极电压小于1到2V时
，MOS场效应管既被关断 。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路
。

由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。工作原理同前所述 。这种低电压 、大电流
、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时 ，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压
，完成直流到交流的转换
。这里需要注意的是，在某些情况下 ，如振荡部分停止工作时
，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。

制作要点

电路板见图11 。所用元器件可参考图12
。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A 、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A ，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧 。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗
。N沟道MOS场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A
，场效应管导通时，漏-源极间电阻为7毫欧 ，此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流情况下
，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍 。所以在考虑散热器时应注意这点
。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大 。

逆变器的性能测试

测试电路见图14。这里测试用的输入电源采用内阻低
、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶 ，可为电路提供充足的输入功率
。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小
，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压 。其测试结果见电压 、电流曲线关系图（图15a）
。可以看出，输出电压随负荷的增大而下降 ，灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系 。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变
，并且输出电压
、电流也不是正弦波，所以这种的计算只能看作是估算
。以负载为60W的电灯泡为例：

假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω ，所以在电压为208V时
，W=V2/R=2082/735=58.9W 。由此可折算出电压和功率的关系
。通过测试，我们发现当输出功率约为100W时 ，输入电流为10A。此时输出电压为200V 。

逆变器电路图

上图是一个简单逆变器电路图3.7v逆变器电路图，其原理如下3.7v逆变器电路图：

 C2是隔直电容3.7v逆变器电路图
，可以保护电路不过载搜差，R2是振教荡调节电阻 ，大小为1-2欧
，L1，L2是初级线圈 ，L3、L4是自振荡线圈
，L5是输出线圈
。

  电源接通，电流通过R2限世弊皮流 ，流经L3 、L4中间抽头
，再经两头尾抽头到功率管基极导通功率管，经L1
、L2初级线圈 ，产生一次初级电流
，再经变压器耦合，在L5形成次级电流 ，第一次振荡完成。在L1、L2形成电流同时，L3 、L4也通过变压器形成第二次感应电流
，再次导通功率管，这样这个自激振荡电路就这样振荡下去 ，直到断电或管子烧坏 。卜嫌

3.7v逆变器电路图的介绍就聊到这里吧
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